Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

BSM180C12P2E202

Name: ROHM Semiconductor BSM180C12P2E202
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM180C12P2E202
Price: 2307.55 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-BSM180C12P2E202

Nr prod.:

BSM180C12P2E202

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFET Modules 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02

Karta charakterystyki:

BSM180C12P2E202 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor BSM180C12P2E202

Na stanie magazynowym: 4

Stany magazynowe:: 4 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 4 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	2 307,55 zł	2 307,55 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	Module
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	204 A
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 6 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.6 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.36 kW
Seria:	BSMx
Opakowanie:	Tray
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	32 ns
Wysokość:	15.4 mm
If – prąd przewodzenia diody:	180 A
Długość:	152 mm
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	36 ns
Wielkość opakowania producenta:	4
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	SiC Power Module
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	139 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	49 ns
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.6 V
Vr – napięcie wsteczne:	1.2 kV
Szerokość:	62 mm

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

BSM180C12P2E202 Karta charakterystyki (PDF)

Other

Specification Sheets

Technical Resources

Test/Quality Data

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:: 8504409190
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.