BSM120D12P2C005

ROHM Semiconductor
755-BSM120D12P2C005
BSM120D12P2C005

Produc.:

Opis:
MOSFET Modules Mod: 1200V 120A (w/ Diode)

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor BSM120D12P2C005

Na stanie magazynowym: 11

Stany magazynowe:
11 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 11 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
1 414,44 zł 1 414,44 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
ROHM Semiconductor
Kategoria produktów: Moduły MOSFET
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
134 A
- 6 V, + 22 V
2.3 V
- 40 C
+ 150 C
935 W
BSMx
Bulk
Marka: ROHM Semiconductor
Konfiguracja: Dual
Czas zanikania: 60 ns
Wysokość: 21.1 mm
Długość: 122 mm
Rodzaj produktu: MOSFET Modules
Czas narastania: 50 ns
Wielkość opakowania producenta: 12
Podkategoria: Discrete and Power Modules
Rodzaj: SiC Power Module
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 170 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 45 ns
Vr – napięcie wsteczne: 1.2 kV
Szerokość: 45.6 mm
Jednostka masy: 279,413 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8542319000
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310075
KRHTS:
8542311000
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.