BFU590QX

NXP Semiconductors
771-BFU590QX
BFU590QX

Produc.:

Opis:
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor

Cykl życia:
Wycofane z eksploatacji:
Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o NXP Semiconductors BFU590QX

Na stanie magazynowym: 775

Stany magazynowe:
775
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
7 000
Średni czas produkcji:
99
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 7775 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
7,91 zł 7,91 zł
4,95 zł 49,50 zł
3,22 zł 322,00 zł
2,48 zł 1 240,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
1,81 zł 1 810,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
NXP
Kategoria produktów: Tranzystory bipolarne RF
RoHS:  
BFU590Q
Bipolar Wideband
Si
NPN
8 GHz
60
12 V
2 V
200 mA
- 40 C
+ 150 C
Single
SMD/SMT
SOT-89-3
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: NXP Semiconductors
Maksymalny prąd DC kolektora: 300 mA
Moc wyjściowa: 22 dBm
Pd – strata mocy: 2 W
Rodzaj produktu: RF Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: Transistors
Nazwy umowne nr części: 934067977115
Jednostka masy: 40,337 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

PCN

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

BFU5x NPN Wideband Silicon RF Transistors

NXP Semiconductors BFU5x NPN Wideband Silicon RF Transistors are AEC-Q101 qualified, low noise, high breakdown RF transistors suitable for small signal to medium power applications up to 2GHz. Offering exceptional performance, BFU5x RF Transistors generate 20dB of maximum gain and a noise figure of 0.7dB at 900MHz. These devices allow for better signal reception at low to medium power and enable RF receivers to operate more robustly in noisy environments. When used as (low-noise) amplifiers or oscillators, BFU5x RF Transistors support high supply voltages and high breakdown voltages. This makes these devices well-suited for automotive, communication, and industrial applications. The product family is available in a wide range of industry-standard packages, including SOT323, SOT23, and SOT143.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.