Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

BFU530WX

Name: NXP BFU530WX
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-BFU530WX
Price: 1.48 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-BFU530WX

Nr prod.:

BFU530WX

Produc.:

NXP Semiconductors

Opis:

RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor

Cykl życia:

Wycofane z eksploatacji:

Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.

Karta charakterystyki:

BFU530WX Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 20 826

Stany magazynowe:: 20 826 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 99 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	1,48 zł	1,48 zł
	1,05 zł	10,50 zł
	0,912 zł	91,20 zł
	0,877 zł	438,50 zł
	0,856 zł	856,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,843 zł	2 529,00 zł
	0,80 zł	4 800,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	NXP
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne RF
RoHS:
Seria:	BFU530W
Rodzaj tranzystora:	Bipolar Wideband
Technologia:	Si
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Częstotliwość robocza:	11 GHz
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	60
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	12 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	2 V
Ciągły prąd kolektora:	40 mA
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Konfiguracja:	Single
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-323-3
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	NXP Semiconductors
Maksymalny prąd DC kolektora:	65 mA
Moc wyjściowa:	10 dBm
Pd – strata mocy:	450 mW
Rodzaj produktu:	RF Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Nazwy umowne nr części:	934067694115
Jednostka masy:	5,569 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

BFU530WX Karta charakterystyki (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BFU5x NPN Wideband Silicon RF Transistors

NXP Semiconductors BFU5x NPN Wideband Silicon RF Transistors are AEC-Q101 qualified, low noise, high breakdown RF transistors suitable for small signal to medium power applications up to 2GHz. Offering exceptional performance, BFU5x RF Transistors generate 20dB of maximum gain and a noise figure of 0.7dB at 900MHz. These devices allow for better signal reception at low to medium power and enable RF receivers to operate more robustly in noisy environments. When used as (low-noise) amplifiers or oscillators, BFU5x RF Transistors support high supply voltages and high breakdown voltages. This makes these devices well-suited for automotive, communication, and industrial applications. The product family is available in a wide range of industry-standard packages, including SOT323, SOT23, and SOT143.