Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

BFU530R

Name: NXP BFU530R
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-BFU530R
Price: 2.48 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-BFU530R

Nr prod.:

BFU530R

Produc.:

NXP Semiconductors

Opis:

RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor

Cykl życia:

Wycofane z eksploatacji:

Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.

Karta charakterystyki:

BFU530R Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o NXP Semiconductors BFU530R

Na stanie magazynowym: 122

Stany magazynowe:: 122

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 3 000
Średni czas produkcji:: 99

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	2,48 zł	2,48 zł
	1,54 zł	15,40 zł
	0,989 zł	98,90 zł
	0,757 zł	378,50 zł
	0,675 zł	675,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,52 zł	1 560,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	NXP
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne RF
RoHS:
Seria:	BFU530
Rodzaj tranzystora:	Bipolar Wideband
Technologia:	Si
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Częstotliwość robocza:	11 GHz
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	60
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	12 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	2 V
Ciągły prąd kolektora:	40 mA
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Konfiguracja:	Single
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-143B-4
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	NXP Semiconductors
Maksymalny prąd DC kolektora:	65 mA
Moc wyjściowa:	10 dBm
Pd – strata mocy:	450 mW
Rodzaj produktu:	RF Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Nazwy umowne nr części:	934067703215
Jednostka masy:	9 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

BFU530R Karta charakterystyki (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BFU5x NPN Wideband Silicon RF Transistors

NXP Semiconductors BFU5x NPN Wideband Silicon RF Transistors are AEC-Q101 qualified, low noise, high breakdown RF transistors suitable for small signal to medium power applications up to 2GHz. Offering exceptional performance, BFU5x RF Transistors generate 20dB of maximum gain and a noise figure of 0.7dB at 900MHz. These devices allow for better signal reception at low to medium power and enable RF receivers to operate more robustly in noisy environments. When used as (low-noise) amplifiers or oscillators, BFU5x RF Transistors support high supply voltages and high breakdown voltages. This makes these devices well-suited for automotive, communication, and industrial applications. The product family is available in a wide range of industry-standard packages, including SOT323, SOT23, and SOT143.