Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SCTW35N65G2VAG

Name: STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTW35N65G2VAG
Price: 52.72 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-SCTW35N65G2VAG

Nr prod.:

SCTW35N65G2VAG

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 2

Dokończ swój projekt

Cykl życia:

Wycofane z eksploatacji:

Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.

Karta charakterystyki:

SCTW35N65G2VAG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 198

Stany magazynowe:: 198 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 17 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 198 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	52,72 zł	52,72 zł
	39,43 zł	394,30 zł
	34,62 zł	3 462,00 zł
	31,61 zł	18 966,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	HiP-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	45 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	67 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5 V
Qg – ładunek bramki:	73 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 200 C
Pd – strata mocy:	240 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Marka:	STMicroelectronics
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Opakowanie:	Tube
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Wielkość opakowania producenta:	600
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Jednostka masy:	4,500 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SCTW35N65G2VAG Karta charakterystyki (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-8-8 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.

Motoryzacyjne tranzystory mocy MOSFET na bazie węglika krzemu

Motoryzacyjne tranzystory MOSFET na bazie węglika krzemu zostały opracowywane przy użyciu zaawansowanej i innowacyjnej technologii SiC MOSFET drugiej i trzeciej generacji firmy STMicroelectronics. Urządzenia te charakteryzują się niską rezystancją włączenia na jednostkę powierzchni i bardzo dobrą wydajnością przełączania. Tranzystory MOSFET charakteryzują się bardzo wysoką temperaturą roboczą (TJ = 200°C) oraz bardzo szybką i wytrzymałą diodą wewnętrzną.