PN2222 Tranzystory bipolarne - BJT

Wyniki: 35
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Maksymalny prąd DC kolektora
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie kolektor-baza VCBO
Napięcie emiter–baza VEBO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Pd – strata mocy
Wzmacniacze GBP fT
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
onsemi Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
Karta charakterystyki
Nie
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1.6 V 625 mW 250 MHz - 55 C + 150 C Bulk
onsemi / Fairchild Tranzystory bipolarne - BJT NPN Gen Purp Amp
Karta charakterystyki
Niedostępne

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Tranzystory bipolarne - BJT
Karta charakterystyki
Niedostępne
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel
onsemi / Fairchild Tranzystory bipolarne - BJT NPN Transistor General Purpose
Karta charakterystyki
Niedostępne
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel
Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 10 tygodni
Min.: 10 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Reel
onsemi / Fairchild Tranzystory bipolarne - BJT
Karta charakterystyki
Niedostępne
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Tranzystory bipolarne - BJT TO-92
Karta charakterystyki
Niedostępne
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 10 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Reel
onsemi / Fairchild Tranzystory bipolarne - BJT NPN GPA
Karta charakterystyki
Niedostępne

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222
onsemi / Fairchild Tranzystory bipolarne - BJT NPN Gen Purp Amp
Karta charakterystyki
Niedostępne

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Tranzystory bipolarne - BJT NPN Transistor General Purpose
Karta charakterystyki
Niedostępne
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Tranzystory bipolarne - BJT NPN Transistor General Purpose
Karta charakterystyki
Niedostępne
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel
Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 6 tygodni
Min.: 10 000
Wielokr.: 2 500

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 40 V 75 V 6 V 300 mV 625 mW 250 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Tranzystory bipolarne - BJT
Karta charakterystyki
Niedostępne
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild PN2222RA
onsemi / Fairchild Tranzystory bipolarne - BJT TO-92
Karta charakterystyki
Niedostępne
Si PN2222
onsemi / Fairchild Tranzystory bipolarne - BJT NPN General Purpose Amplifier
Karta charakterystyki
Niedostępne

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
onsemi / Fairchild Tranzystory bipolarne - BJT NPN General Purpose Transistor
Karta charakterystyki
Niedostępne
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Tranzystory bipolarne - BJT NPN Gen Purp Amp
Karta charakterystyki
Niedostępne

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
onsemi Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1.6 V 625 mW 250 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Karta charakterystyki

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel, Cut Tape
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Karta charakterystyki
7 757Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1 V 625 mW 300 MHz + 150 C PN2222 Ammo Pack
Toshiba PN2222A,126
Toshiba Tranzystory bipolarne - BJT N/A
Si NPN Single 600 mA 40 V 75 V 6 V 500 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222
onsemi / Fairchild Tranzystory bipolarne - BJT
Karta charakterystyki
Niedostępne
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purp Amp
Karta charakterystyki
21 981Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1 V 625 mW 300 MHz + 150 C PN2222 Reel, Cut Tape
onsemi / Fairchild Tranzystory bipolarne - BJT NPN General Purpose Amplifier
Karta charakterystyki
Niedostępne

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Reel