Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

NXH015P120M3F1PTG

Name: onsemi NXH015P120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH015P12M3F1PTG
Price: 287.15 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NXH015P12M3F1PTG

Nr prod.:

NXH015P120M3F1PTG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFET Modules 15M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

Karta charakterystyki:

NXH015P120M3F1PTG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	PIM-18
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Id – Ciągły prąd drenu:	77 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	20 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.4 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	198 W
Seria:	NXH015P120M3F1PTG
Opakowanie:	Tray
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Half-Bridge
Czas zanikania:	8 ns
Wysokość:	12.35 mm
Długość:	63.3 mm
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	9 ns
Wielkość opakowania producenta:	28
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Nazwa handlowa:	EliteSiC
Rodzaj:	Half Bridge
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	94 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	25 ns
Szerokość:	34.1 mm

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NXH015P120M3F1PTG Karta charakterystyki

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Chiny
Kraj wytworzenia:: Korea Południowa

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules

onsemi NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules contain 8mΩ/1200V, 10mΩ/1200V, 15mΩ/1200V, and 30mΩ/1200V M3S SiC MOSFETs based on half-bridge topology and a thermistor in a F1 package. These modules feature pre-applied Thermal Interface Material (TIM) and without pre-applied TIM. The NXH0xxP120M3F1 modules are designed with press-fit pins and are Pb-free, Halide-free, and RoHS-compliant. These power modules are used in solar inverters, industrial power, Electric Vehicle (EV) charging stations, and Uninterruptible Power Supplies (UPS).

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI

NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module

Features 15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET full-bridge and a thermistor with Al₂O₃ DBC in an F1 package.

Dowiedz się więcej

NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules

Contains 8mΩ, 10mΩ, 15mΩ, and 30mΩ/1200V M3S MOSFETs based on half-bridge topology.

Dowiedz się więcej

NVVR26A120M1WSx Silicon Carbide (SiC) Modules

Part of VE-Trac™ B2 SiC highly integrated power modules for EV/HEV traction inverter applications.

Dowiedz się więcej

NXV08H350XT1 MOSFET Module

Compactly designed, 2-phase, dual half bridge, 80V automotive power MOSFET module.

Dowiedz się więcej

NXV08H300DT1 MOSFET Module

Compactly designed, 2-phase, dual half bridge, 80V automotive power MOSFET module.

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 86

Stany magazynowe:: 86 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	287,15 zł	287,15 zł
	247,76 zł	2 477,60 zł

NXH015P120M3F1PTG

Produc.: onsemi

Opis: MOSFET Modules 15M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

Specyfikacja

Dokumenty (1)

Karta charakterystyki

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY ONSEMI

Na stanie magazynowym: 86

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFET Modules 15M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI