Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVXK2VR80WDT2

Name: onsemi NVXK2VR80WDT2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2VR80WDT2
Price: 224.89 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVXK2VR80WDT2

Nr prod.:

NVXK2VR80WDT2

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFET Modules APM32 SIC POWER MODULE

Cykl życia:

Nowości w Mouser

Karta charakterystyki:

NVXK2VR80WDT2 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVXK2VR80WDT2

Na stanie magazynowym: 60

Stany magazynowe:: 60 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	224,89 zł	224,89 zł
	185,80 zł	1 858,00 zł
	167,36 zł	16 736,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	APM-32
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	6 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	20 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	116 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 15 V, + 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.3 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	82 W
Seria:	NVXK2VR80WDT2
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	3-Phase Bridge
Czas zanikania:	9 ns
Wysokość:	5.8 mm
Długość:	44.2 mm
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	12 ns
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	Power Module
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	21 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	12 ns
Szerokość:	29 mm

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVXK2VR80WDT2 Karta charakterystyki

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules

onsemi NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules are 1200V, 80mΩ 3-phase bridge power modules housed in a Dual Inline Package (DIP). These SiC modules are compactly designed to have low total module resistance. The NVXK2VR80WxT2 power modules are automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. These power modules are lead-free and ROHS, UL94V-0 compliant. The NVXK2VR80WxT2 SiC modules' temperature sensing and the lowest thermal resistance make them ideal for PFC onboard chargers in xEV applications.