Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPU95R3K7P7AKMA1

Name: Infineon IPU95R3K7P7AKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPU95R3K7P7AKMA1
Price: 5.07 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IPU95R3K7P7AKMA1

Nr prod.:

IPU95R3K7P7AKMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs LOW POWER_NEW

Cykl życia:

NRND:

Niezalecane dla nowych projektów.

Karta charakterystyki:

IPU95R3K7P7AKMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPU95R3K7P7AKMA1

Na stanie magazynowym: 2 153

Stany magazynowe:: 2 153 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	5,07 zł	5,07 zł
	3,20 zł	32,00 zł
	2,12 zł	212,00 zł
	1,74 zł	870,00 zł
	1,50 zł	1 500,00 zł
	1,38 zł	2 070,00 zł
	1,25 zł	5 625,00 zł
	1,19 zł	12 495,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-251-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	950 V
Id – Ciągły prąd drenu:	2 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.7 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	6 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	22 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	CoolMOS
Opakowanie:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	40 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	23 ns
Seria:	P7
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	46 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	7ns
Nazwy umowne nr części:	IPU95R3K7P7 SP001792320
Jednostka masy:	387,110 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IPU95R3K7P7AKMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

MOSFET CoolMOS P7 950V (PDF)

Product Catalogs

Technical Resources

MOSFET 950V CoolMOS P7 (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFETs deliver a best-in-class price/performance ratio with excellent ease of use to address challenges in various applications. The 700V and 800V CoolMOS P7 power MOSFETs have been developed for flyback-based low-power SMPS applications, including adapters and chargers, lighting, audio SMPS, AUX, and industrial power. The 600V CoolMOS P7 power MOSFETs target low-power and high-power SMPS applications like solar inverters, servers, telecom, and EV charging stations. Infineon P7 MOSFETs are fully optimized for hard- and soft-switching topologies.

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

Residential Energy Storage Systems (ESS)

Infineon Residential Storage Solutions (ESS) offers various products to create and manage resilient energy infrastructures. Infineon's distinctive expertise in energy generation, power conversion, transmission, and battery management makes it an ideal natural partner to advance Energy Storage Solutions, especially in terms of efficiency, innovation, performance, and optimal cost.

CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.