Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTHL041N60S5H

Name: onsemi NTHL041N60S5H
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL041N60S5H
Price: 35.15 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTHL041N60S5H

Nr prod.:

NTHL041N60S5H

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs SUPERFET5 FAST 41MOHM TO-247-3

Karta charakterystyki:

NTHL041N60S5H Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTHL041N60S5H

Na stanie magazynowym: 527

Stany magazynowe:: 527 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 50 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	35,15 zł	35,15 zł
	25,16 zł	251,60 zł
	22,22 zł	2 666,40 zł
	22,09 zł	11 265,90 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	57 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	41 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.3 V
Qg – ładunek bramki:	108 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	329 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Kraj montażu:	CN
Kraj wytworzenia:	KR
Kraj pochodzenia:	CN
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	NTHL041N60S5H
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTHL041N60S5H Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SuperFET® V MOSFETs

onsemi SuperFET^® V MOSFETs are the fifth generation high-voltage Super Junction (SJ) MOSFETs. These devices deliver best-in-class Figure of Merits (FoMs) (R_DS(ON)·Q_G and R_DS(ON)·E_OSS) to improve not only heavy load but also light load efficiency. The 600V SuperFET V MOSFETs provide design benefits through reduced conduction and switching losses while supporting extreme MOSFET dV_DS/dt ratings at 120V/ns. The SuperFET V MOSFET FAST series help to maximize system efficiency and power density. The SuperFET V MOSFET Easy Drive series combines excellent switching performance without sacrificing ease of use for both hard and soft switching topologies. Typical applications include telecommunication, cloud system, and industrial.