T2G4005528-FS

Qorvo
772-T2G4005528-FS
T2G4005528-FS

Produc.:

Opis:
GaN FETs DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Qorvo
Kategoria produktów: Tranzystory GaN FET
RoHS:  
NI-360
N-Channel
3.5 GHz
GaN
Marka: Qorvo
Wzmocnienie: 16 dB
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Moc wyjściowa: 55 W
Opakowanie: Tray
Rodzaj produktu: GaN FETs
Seria: T2G4005528
Wielkość opakowania producenta: 100
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: HEMT
Rodzaj: GaN SiC HEMT
Nazwy umowne nr części: T2G4005528 1099993
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności
CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542330996
KRHTS:
8532331000
MXHTS:
8542330201
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Stany Zjednoczone
Kraj montażu:
Niedostępne
Kraj wytworzenia:
Niedostępne
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 100   Wielokrotności: 100
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
1 454,92 zł 145 492,00 zł