IMBF170R1K0M1XTMA1

Infineon Technologies
726-IMBF170R1K0M1XTM
IMBF170R1K0M1XTMA1

Produc.:

Opis:
SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 740

Stany magazynowe:
740
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
4 000
Oczekiwane: 02.03.2026
Średni czas produkcji:
26
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
17,59 zł 17,59 zł
11,61 zł 116,10 zł
8,73 zł 873,00 zł
7,91 zł 3 955,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
6,54 zł 6 540,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Moduły MOSFET SIC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
5.2 A
1 Ohms
- 10 V, + 20 V
4.5 V
5 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
CoolSiC
Marka: Infineon Technologies
Czas zanikania: 22 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 0.42 S
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Opakowanie: MouseReel
Rodzaj produktu: SiC MOSFETS
Czas narastania: 11 ns
Seria: CoolSiC 1700V
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: Transistors
Technologia: SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 20 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 19 ns
Nazwy umowne nr części: IMBF170R1K0M1 SP002739692
Jednostka masy: 1,600 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs

Infineon CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs feature a revolutionary Silicon Carbide material optimized for fly-back topologies. The SiC Trench MOSFETs offer a 12V/0V gate-source voltage compatible with most fly-back controllers.

CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.