Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

RFD3055LE

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-RFD3055LE

Nr prod.:

RFD3055LE

Produc.:

onsemi

Cykl życia:

Wycofane z eksploatacji:

Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Alert dotyczący wysyłki:

Firma Mouser aktualnie nie sprzedaje tego produktu w Twoim regionie.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
Ograniczenia dotyczące wysyłki	Firma Mouser aktualnie nie sprzedaje tego produktu w Twoim regionie.
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-251-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	11 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	107 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 16 V, 16 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	11.3 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	38 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	39 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	105 ns
Seria:	RFD3055LE
Wielkość opakowania producenta:	1800
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	22 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8 ns
Nazwy umowne nr części:	RFD3055LE_NL
Jednostka masy:	340 mg