NVMFS5C404NET1G

Name: onsemi NVMFS5C404NET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C404NET1G
Price: 13.94 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVMFS5C404NET1G

Nr prod.:

NVMFS5C404NET1G

Produc.:

onsemi

Cykl życia:

NRND:

Niezalecane dla nowych projektów.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 1 500 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 40 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	13,94 zł	13,94 zł
	9,16 zł	91,60 zł
	6,43 zł	643,00 zł
	5,33 zł	2 665,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	5,33 zł	7 995,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-5
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	378 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	700 uOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	128 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	200 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	MY
Kraj wytworzenia:	US
Kraj pochodzenia:	US
Czas zanikania:	109 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	113 ns
Seria:	NVMFS5C404N
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	77 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	16 ns