Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

NVMFS4C03NWFET1G

Name: onsemi NVMFS4C03NWFET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C03NWFET1G
Price: 5.42 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVMFS4C03NWFET1G

Nr prod.:

NVMFS4C03NWFET1G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NVMFS4C03NWFET1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVMFS4C03NWFET1G

Na stanie magazynowym: 1 243

Stany magazynowe:: 1 243 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 53 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	5,42 zł	5,42 zł
	3,41 zł	34,10 zł
	2,26 zł	226,00 zł
	1,77 zł	885,00 zł
	1,63 zł	1 630,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	1,49 zł	2 235,00 zł
	1,35 zł	6 075,00 zł
	1,31 zł	11 790,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFNW-5
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	159 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.7 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.2 V
Qg – ładunek bramki:	45.2 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	77 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	17 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	32 ns
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	27 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	14 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVMFS4C03NWFET1G Karta charakterystyki

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFS4C03NWFET1G Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFS4C03NWFET1G Single N-Channel Power MOSFET is a high-efficiency device designed for demanding power management applications. Housed in a compact 5mm x 6mm PowerFLAT package, the NVMFS4C03NWFET1G delivers excellent thermal performance and low R_DS(on), as low as 0.9mΩ at 10V, making the MOSFET ideal for minimizing conduction losses in high-current circuits. This onsemi MOSFET supports fast switching speeds and is optimized for use in DC-DC converters, synchronous rectification, load switching, and motor control applications. A robust design and high avalanche energy rating make the NVMFS4C03NWFET1G suitable for use in telecom, server, and industrial power systems where reliability and efficiency are critical. The NVMFS4C03NWFET1G offers a balance of performance, size, and ruggedness, making it a versatile choice for modern power electronics.