NVMFD5C470NLET1G

Name: onsemi NVMFD5C470NLET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFD5C470NLET1G
Price: 5.33 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVMFD5C470NLET1G

Nr prod.:

NVMFD5C470NLET1G

Produc.:

onsemi

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 1 500 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 29 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	5,33 zł	5,33 zł
	3,37 zł	33,70 zł
	2,23 zł	223,00 zł
	1,74 zł	870,00 zł
	1,41 zł	1 410,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	1,30 zł	1 950,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	36 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	11.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.2 V
Qg – ładunek bramki:	9 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	46 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Dual
Kraj montażu:	MY
Kraj wytworzenia:	US
Kraj pochodzenia:	MY
Czas zanikania:	36 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	55 ns
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	20 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	9.3 ns