NVH4L080N120SC1

onsemi
863-NVH4L080N120SC1
NVH4L080N120SC1

Produc.:

Opis:
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 689

Stany magazynowe:
689 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
45,99 zł 45,99 zł
27,64 zł 276,40 zł
27,59 zł 3 310,80 zł
25,54 zł 13 025,40 zł
23,86 zł 24 337,20 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Moduły MOSFET SIC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
29 A
80 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
170 W
Enhancement
EliteSiC
Marka: onsemi
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: CN
Kraj wytworzenia: KR
Kraj pochodzenia: CN
Czas zanikania: 5.4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 11.3 S
Opakowanie: Tube
Rodzaj produktu: SiC MOSFETS
Czas narastania: 4.2 ns
Seria: NVH4L080N120SC1
Wielkość opakowania producenta: 30
Podkategoria: Transistors
Technologia: SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 26.8 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 9 ns
Jednostka masy: 6 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99