Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

NTMS10P02R2G

Name: onsemi NTMS10P02R2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMS10P02R2G
Price: 8.02 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTMS10P02R2G

Nr prod.:

NTMS10P02R2G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 20V 10A P-Channel

Karta charakterystyki:

NTMS10P02R2G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 1 199

Stany magazynowe:: 1 199

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 2 500

Oczekiwane: 03.07.2026
Średni czas produkcji:: 11

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	8,02 zł	8,02 zł
	5,12 zł	51,20 zł
	3,47 zł	347,00 zł
	2,76 zł	1 380,00 zł
	2,52 zł	2 520,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	2,28 zł	5 700,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOIC-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	20 V
Id – Ciągły prąd drenu:	8.8 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	20 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 12 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.2 V
Qg – ładunek bramki:	48 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	2.5 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	PH
Kraj wytworzenia:	TW
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	110 ns, 125 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	30 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	40 ns, 100 ns
Seria:	NTMS10P02
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	100 ns, 110 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	25 ns
Jednostka masy:	74 mg