Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

MMBTH10-4LT1G

Name: onsemi MMBTH10-4LT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MMBTH10-4LT1G
Price: 0.36 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-MMBTH10-4LT1G

Nr prod.:

MMBTH10-4LT1G

Produc.:

onsemi

Opis:

Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN

Cykl życia:

Wycofane z eksploatacji:

Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.

Karta charakterystyki:

MMBTH10-4LT1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 890

Stany magazynowe:: 890 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 890 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	0,361 zł	0,36 zł
	0,185 zł	1,85 zł
	0,143 zł	14,30 zł
	0,134 zł	67,00 zł
	0,126 zł	126,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,113 zł	339,00 zł
	0,109 zł	654,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-23-3
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	25 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	30 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	3 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	500 mV
Pd – strata mocy:	225 mW
Wzmacniacze GBP fT:	800 MHz
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	MMBTH10L
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	120
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	40 mg