Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

MMBT5551

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-MMBT5551

Nr prod.:

MMBT5551

Produc.:

onsemi

Cykl życia:

Przestarzały/nieaktualny

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Alert dotyczący wysyłki:

Firma Mouser aktualnie nie sprzedaje tego produktu w Twoim regionie.

Produc.:

onsemi

Nr prod.:

MMBT5551LT1G

Opis:

Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
Ograniczenia dotyczące wysyłki	Firma Mouser aktualnie nie sprzedaje tego produktu w Twoim regionie.
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-23-3
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Konfiguracja:	Single
Maksymalny prąd DC kolektora:	600 mA
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	160 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	180 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	6 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	200 mV
Pd – strata mocy:	350 mW
Wzmacniacze GBP fT:	300 MHz
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	MMBT5551
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Ciągły prąd kolektora:	600 mA
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	80
Wzmocnienie prądu DC hFE max.:	250
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Nazwy umowne nr części:	MMBT5551_NL
Jednostka masy:	8 mg