FOD8383V

onsemi
512-FOD8383V
FOD8383V

Produc.:

Opis:
MOSFET Output Optocouplers FOD8383 2.5 A Output Current, High-Speed, MOSFET/IGBT Gate Drive Optocoupler in Optoplanar Wide-Body SOP 5-Pin

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
2 000 Termin wysyłki - 20 dzień/dni
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 2000   Wielokrotności: 2000
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
10,71 zł 21 420,00 zł
10,29 zł 41 160,00 zł
6 000 Oferta

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
21,42 zł
Min.:
1

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Transoptory z wyjściem MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
SOP-5
Push-Pull
1 Channel
5000 Vrms
25 mA
1.43 V
5 V
500 mW
- 40 C
+ 100 C
FOD8383
Tube
Marka: onsemi
Kraj montażu: PH
Kraj wytworzenia: JP
Kraj pochodzenia: JP
Czas zanikania: 25 ns
Rodzaj produktu: MOSFET Output Optocouplers
Czas narastania: 35 ns
Wielkość opakowania producenta: 100
Podkategoria: Optocouplers
Jednostka masy: 400 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541409000
CNHTS:
8541490000
CAHTS:
8541490020
USHTS:
8541498000
KRHTS:
8541409029
ECCN:
EAR99

FOD8383/4 High-Speed MOSFET/IGBT Optocouplers

onsemi FOD8383/4 High-Speed MOSFET/IGBT Gate Drive Optocouplers are 2.5A output current gate drive optocouplers that are capable of driving medium-power IGBT/MOSFETs. They are ideally suited for fast-switching driving of power IGBT and MOSFET used in motor-control inverter applications and high-performance power systems. The onsemi FOD8383/4 utilizes Optoplanar® coplanar packaging technology and optimized IC design to achieve reliable high-insulation voltage and high-noise immunity. Each device consists of an Aluminum Gallium Arsenide (AlGaAs) Light-Emitting Diode (LED) optically coupled to an integrated circuit with a high-speed driver for push-pull MOSFET output stage.