FFSM1065B

onsemi
863-FFSM1065B
FFSM1065B

Produc.:

Opis:
SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 10A PQFM88

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 1 538

Stany magazynowe:
1 538 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 1538 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
10,63 zł 10,63 zł
8,23 zł 82,30 zł
6,93 zł 693,00 zł
6,59 zł 3 295,00 zł
6,05 zł 6 050,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
5,59 zł 16 770,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Diody SCHOTTKY SIC
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
Single
10 A
650 V
1.7 V
42 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSM1065B
Reel
Cut Tape
Marka: onsemi
Kraj montażu: PH
Kraj wytworzenia: KR
Kraj pochodzenia: PH
Rodzaj produktu: SiC Schottky Diodes
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Diodes & Rectifiers
Nazwa handlowa: EliteSiC
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.