Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

FDPF2D3N10C

Name: onsemi FDPF2D3N10C
Brand: onsemi
SKU: 512-FDPF2D3N10C
Price: 28.64 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-FDPF2D3N10C

Nr prod.:

FDPF2D3N10C

Produc.:

onsemi

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: 30

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 1 000

Oczekiwane: 10.07.2026
Średni czas produkcji:: 44

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	222 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.1 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	152 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	45 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	PowerTrench
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	CN
Kraj wytworzenia:	KR
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	32 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	222 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	35 ns
Seria:	FDPF2D3N10C
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	74 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	42 ns
Jednostka masy:	2 g