Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

FDP52N20

Name: onsemi FDP52N20
Brand: onsemi
SKU: 512-FDP52N20
Price: 13.02 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-FDP52N20

Nr prod.:

FDP52N20

Produc.:

onsemi

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: 983

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 4 000

Oczekiwane: 26.06.2026

2 000

Oczekiwane: 03.07.2026
Średni czas produkcji:: 18

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1 Maksymalnie: 250

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	200 V
Id – Ciągły prąd drenu:	52 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	49 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	63 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	357 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	CN
Kraj wytworzenia:	CZ
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	29 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	35 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	175 ns
Seria:	FDP52N20
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	48 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	53 ns
Jednostka masy:	2 g