Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

FDD86102

Name: onsemi FDD86102
Brand: onsemi
SKU: 512-FDD86102
Price: 9.91 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-FDD86102

Nr prod.:

FDD86102

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench

Karta charakterystyki:

FDD86102 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi FDD86102

Na stanie magazynowym: 19 440

Stany magazynowe:: 19 440 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	9,91 zł	9,91 zł
	6,38 zł	63,80 zł
	4,37 zł	437,00 zł
	3,50 zł	1 750,00 zł
	3,26 zł	3 260,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	3,05 zł	7 625,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	8 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	19 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.1 V
Qg – ładunek bramki:	13.4 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 125 C
Pd – strata mocy:	3.1 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	PowerTrench
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	CN
Kraj wytworzenia:	KR
Kraj pochodzenia:	CN
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	21 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	FDD86102
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Jednostka masy:	330 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FDD86102 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.

FDD86102 N-Channel PowerTrench® MOSFET

onsemi / Fairchild FDD86102 N-Channel PowerTrench^® MOSFET is produced using an advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This MOSFET features fast switching speed and high power and current handling capability in a widely used surface mount package. The onsemi / Fairchild FDD86102 MOSFET is optimized for low r_DS(on), switching performance, and ruggedness. Typical application includes DC/DC conversion.