Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

FDB33N25TM

Name: onsemi FDB33N25TM
Brand: onsemi
SKU: 512-FDB33N25TM
Price: 12.05 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-FDB33N25TM

Nr prod.:

FDB33N25TM

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 250V N-Ch MOSFET

Karta charakterystyki:

FDB33N25TM Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 12 322

Stany magazynowe:: 12 322 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1 Maksymalnie: 800

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	12,05 zł	12,05 zł
	7,77 zł	77,70 zł
	5,54 zł	554,00 zł
	4,66 zł	2 330,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
	4,28 zł	3 424,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	250 V
Id – Ciągły prąd drenu:	33 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	94 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	48 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	235 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	CN
Kraj wytworzenia:	CZ
Kraj pochodzenia:	CZ
Czas zanikania:	120 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	230 ns
Seria:	FDB33N25
Wielkość opakowania producenta:	800
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	75 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	35 ns
Jednostka masy:	4 g