Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

BD13516S

Name: onsemi BD13516S
Brand: onsemi
SKU: 512-BD13516S
Price: 4.15 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-BD13516S

Nr prod.:

BD13516S

Produc.:

onsemi

Opis:

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

Cykl życia:

Wycofane z eksploatacji:

Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.

Karta charakterystyki:

BD13516S Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 17 335

Stany magazynowe:: 17 335 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 17335 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4,15 zł	4,15 zł
	2,59 zł	25,90 zł
	1,71 zł	171,00 zł
	1,56 zł	780,00 zł
	1,33 zł	1 330,00 zł
	1,20 zł	2 400,00 zł
	1,07 zł	4 280,00 zł
	1,03 zł	10 300,00 zł
	1,00 zł	24 000,00 zł

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:

BD13516STU

Opakowanie:

Tube

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

4,24 zł

Min.:

Możliwy zamiennik

Produc.:

onsemi

Nr prod.:

BD13516STU

Opis:

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-126-3
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Konfiguracja:	Single
Maksymalny prąd DC kolektora:	1.5 A
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	45 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	45 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	5 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	500 mV
Pd – strata mocy:	12.5 W
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	BD135
Opakowanie:	Bulk
Marka:	onsemi
Ciągły prąd kolektora:	1.5 A
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	40
Wzmocnienie prądu DC hFE max.:	250
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	800 mg