Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

C2M0080120D

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

941-C2M0080120D

Nr prod.:

C2M0080120D

Produc.:

Wolfspeed

Cykl życia:

Przestarzały/nieaktualny

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Alert dotyczący wysyłki:

Firma Mouser aktualnie nie sprzedaje tego produktu w Twoim regionie.

Produc.:

Wolfspeed

Nr prod.:

C4D20120A

Opis:

SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 20A

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Wolfspeed
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
Ograniczenia dotyczące wysyłki	Firma Mouser aktualnie nie sprzedaje tego produktu w Twoim regionie.
RoHS:
REACH - SVHC:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	31.6 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	98 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 5 V, + 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	71 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	208 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Wolfspeed
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	21 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	3.9 S
Opakowanie:	Tube
Produkt:	Power MOSFETs
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	34 ns
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj:	Silicon Carbide Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	23.2 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	12 ns
Jednostka masy:	6 g