Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IRFZ14PBF

Name: Vishay IRFZ14PBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 844-IRFZ14PBF
Price: 6.49 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

844-IRFZ14PBF

Nr prod.:

IRFZ14PBF

Produc.:

Vishay Semiconductors

Opis:

MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A

Karta charakterystyki:

IRFZ14PBF Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 222

Stany magazynowe:: 222

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 4 000

Oczekiwane: 16.02.2026
Średni czas produkcji:: 4

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	6,49 zł	6,49 zł
	2,54 zł	25,40 zł
	2,32 zł	232,00 zł
	2,05 zł	1 025,00 zł
	1,94 zł	1 940,00 zł

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:

IRFZ14PBF-BE3

Opakowanie:

Tube

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

6,15 zł

Min.:

Podobny produkt

Produc.:

Vishay / Siliconix

Nr prod.:

IRFZ14PBF-BE3

Opis:

MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	10 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	200 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	11 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	43 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	Vishay Semiconductors
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	19 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	50 ns
Seria:	IRFZ
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	13 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	10 ns
Nazwy umowne nr części:	IRFZ14PBF-BE3
Jednostka masy:	2 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

                        
The BE3 suffix version of this part number is the exact form, fit, and 
function of this part number.  The only difference is the country of 
origin. The BE3 suffix part number typically has a shorter lead-time 
if not already in stock at Mouser. 
Please contact a Mouser Technical Service Representative for 
further assistance 
5-0321-7