Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

TK8A50D(STA4,Q,M)

Name: Toshiba TK8A50D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK8A50DSTA4QM
Price: 7.65 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-TK8A50DSTA4QM

Nr prod.:

TK8A50D(STA4,Q,M)

Produc.:

Toshiba

Opis:

MOSFETs N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

Karta charakterystyki:

TK8A50D(STA4,Q,M) Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba TK8A50D(STA4,Q,M)

Na stanie magazynowym: 337

Stany magazynowe:: 337

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 250

Oczekiwane: 16.03.2026
Średni czas produkcji:: 32

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	7,65 zł	7,65 zł
	3,88 zł	38,80 zł
	3,77 zł	377,00 zł
	2,97 zł	1 485,00 zł
	2,34 zł	2 340,00 zł
	2,33 zł	5 825,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	500 V
Id – Ciągły prąd drenu:	8 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	850 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	16 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	40 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	MOSVII
Opakowanie:	Tube
Marka:	Toshiba
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	12 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	1 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	20 ns
Seria:	TK8A50D
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	60 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	40 ns
Jednostka masy:	2 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

TK8A50D(STA4,Q,M) Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.