Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

TK115N65Z5,S1F

Name: Toshiba TK115N65Z5,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK115N65Z5S1F
Price: 25.16 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-TK115N65Z5S1F

Nr prod.:

TK115N65Z5,S1F

Produc.:

Toshiba

Opis:

MOSFETs N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-247, DTMOS?

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

TK115N65Z5,S1F Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba TK115N65Z5,S1F

Na stanie magazynowym: 30

Stany magazynowe:: 30 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	25,16 zł	25,16 zł
	19,14 zł	191,40 zł
	12,08 zł	1 449,60 zł
	11,05 zł	5 635,50 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	24 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	115 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.5 V
Qg – ładunek bramki:	42 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	190 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	Toshiba
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	3.7 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	37 ns
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	83 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	70 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

TK115N65Z5,S1F Karta charakterystyki

Application Notes

Models

Product Catalogs

Selection Guide 2025 - MOSFETs

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [R_DS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.