Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SSM14N956L,EFF

Name: Toshiba SSM14N956L,EFF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM14N956LEFF
Price: 7.52 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-SSM14N956LEFF

Nr prod.:

SSM14N956L,EFF

Produc.:

Toshiba

Opis:

MOSFETs 12V Common Drain MOSFET Rss(on): 1.1mOhm

Karta charakterystyki:

SSM14N956L,EFF Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba SSM14N956L,EFF

Na stanie magazynowym: 18 379

Stany magazynowe:: 18 379 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	7,52 zł	7,52 zł
	4,79 zł	47,90 zł
	3,17 zł	317,00 zł
	2,57 zł	1 285,00 zł
	2,21 zł	2 210,00 zł
	2,18 zł	5 450,00 zł
	2,13 zł	10 650,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10000)
	2,07 zł	20 700,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.35 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, 8 V
Qg – ładunek bramki:	76 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.33 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Toshiba
Konfiguracja:	Dual
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	JP
Czas zanikania:	2.1 us
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	1.3 us
Wielkość opakowania producenta:	10000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	3.8 us
Typowy czas opóźnienia włączenia:	1 us

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SSM14N956L,EFF Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SSM14N956L MOSFET

Toshiba SSM14N956L MOSFET features low source-source on-resistance and is RoHS compatible. The SSM14N956L MOSFET is halogen-free. This MOSFET provides 2.44W on the condition (t ≤ 10s) and operates at 150°C channel temperature and -55°C to 150°C storage temperature range. The R_SS(ON) = 1.1mΩ (typ) (@V_GS = 3.8V) and R_SS(ON) = 1mΩ (typ) (@V_GS = 4.5V) are the low source-source on-resistance. This SSM14N956L MOSFET is ideally used in battery protection circuits.