GT30J121(Q)

Toshiba
757-GT30J121(Q)
GT30J121(Q)

Produc.:

Opis:
IGBTs 600V/30A DIS

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 82

Stany magazynowe:
82 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
15,70 zł 15,70 zł
10,36 zł 103,60 zł
7,27 zł 727,00 zł
5,98 zł 2 990,00 zł
5,89 zł 5 890,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Toshiba
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
RoHS:  
Si
TO-3P-3
Through Hole
Single
600 V
2 V
- 20 V, 20 V
30 A
170 W
- 55 C
+ 150 C
GT30J121
Tube
Marka: Toshiba
Ciągły prąd kolektora – Ic max.: 30 A
Rodzaj produktu: IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta: 100
Podkategoria: IGBTs
Jednostka masy: 6,756 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99