Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

2SC6026MFVGR,L3F

Name: Toshiba 2SC6026MFVGR,L3F
Brand: Toshiba
SKU: 757-2SC6026MFVGRL3F
Price: 0.65 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-2SC6026MFVGRL3F

Nr prod.:

2SC6026MFVGR,L3F

Produc.:

Toshiba

Opis:

Bipolar Transistors - BJT VESM PLN

Karta charakterystyki:

2SC6026MFVGR,L3F Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 17 540

Stany magazynowe:: 17 540 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 5 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 8000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	0,651 zł	0,65 zł
	0,407 zł	4,07 zł
	0,252 zł	25,20 zł
	0,185 zł	92,50 zł
	0,143 zł	143,00 zł
	0,126 zł	630,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 8000)
	0,092 zł	736,00 zł
	0,084 zł	2 016,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-723-3
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Konfiguracja:	Single
Maksymalny prąd DC kolektora:	150 mA
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	50 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	60 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	5 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	150 mV
Pd – strata mocy:	150 mW
Wzmacniacze GBP fT:	60 MHz
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Seria:	2SC6026
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Toshiba
Ciągły prąd kolektora:	150 mA
Kraj montażu:	TH
Kraj wytworzenia:	JP
Kraj pochodzenia:	TH
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	120
Wzmocnienie prądu DC hFE max.:	400
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	8000
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	1,500 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2