UCC5870QDWJQ1

595-UCC5870QDWJQ1
UCC5870QDWJQ1

Produc.:

Opis:
Galvanically Isolated Gate Drivers Automotive 3.75kVrm s 30A single-channel A 595-UCC5870QDWJRQ1

Cykl życia:
Wycofane z eksploatacji:
Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 1 797

Stany magazynowe:
1 797 Wysylamy natychmiast
Ilości większe niż 1797 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
76,69 zł 76,69 zł
61,95 zł 619,50 zł
59,39 zł 1 484,75 zł
52,29 zł 5 804,19 zł
49,73 zł 12 880,07 zł
46,54 zł 24 107,72 zł
43,09 zł 44 641,24 zł
2 516 Oferta

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
58,30 zł
Min.:
1

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Galwanicznie izolowane sterowniki bramek
RoHS:  
UCC5870
SMD/SMT
SSOP-36
- 40 C
+ 125 C
500 mW
150 ns
150 ns
150 ns
Tube
Marka: Texas Instruments
Konfiguracja: Inverting
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: TW
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Liczba sterowników: 1 Driver
Liczba wyjść: 1 Output
Prąd wyjścia: 30 A
Napięcie wyjścia: 15 V to 30 V
Produkt: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Rodzaj produktu: Galvanically Isolated Gate Drivers
Zakończenie pracy: Shutdown
Wielkość opakowania producenta: 37
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Napięcie zasilania – max.: 5.5 V
Napięcie zasilania – min.: 3 V
Technologia: SiC
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

UCC5870-Q1 IGBT/SiC MOSFET Gate Driver

Texas Instruments UCC5870-Q1 IGBT/SiC MOSFET Gate Driver is a functional safety compliant, isolated, highly configurable single-channel gate driver targeted to drive high power SiC MOSFETs and IGBTs in EV/HEV applications. Power transistor protections such as shunt resistor based over-current, NTC based over-temperature, and DESAT detection, including selectable soft turn off or two-level turn off during these faults. To further reduce the application size, the Texas Instruments UCC5870-Q1 integrates a 4A active Miller clamp during switching and an active gate pull-down while the driver is unpowered. An integrated 10-bit ADC enables monitoring up to six analog inputs and the gate driver temperature for enhanced system management. Diagnostics and detection functions are integrated to simplify the design of ASIL-D compliant systems. The parameters and thresholds for these features are configurable using the SPI interface, which allows the device to be used with nearly any SiC MOSFET or IGBT.