TPS28226DRBR

Texas Instruments
595-TPS28226DRBR
TPS28226DRBR

Produc.:

Opis:
Gate Drivers Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver A 595 A 595-TPS28226DRBT

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
6 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 3000   Wielokrotności: 3000
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
2,87 zł 8 610,00 zł
2,73 zł 16 380,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SON-8
2 Driver
2 Output
6 A
4 V
8.8 V
10 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
TPS28226
Reel
Marka: Texas Instruments
Funkcje: Synchronous Rectification
Maksymalny czas opóźnienia wyłączenia: 14 ns
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Pd – strata mocy: 2.58 W
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: Si
Jednostka masy: 24 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

TPS28226 8-Pin Sink Synchronous MOSFET Drivers

Texas Instruments TPS28226 8-Pin High-Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Drivers is optimized for a variety of high-current one and multi-phase DC-to-DC converters. The Texas Instruments TPS28226 MOSFET Drivers have a small-size and low EMI emissions, providing a high-efficiency solution. Efficiency is achieved by up to 8.8V gate drive voltage, 14ns adaptive dead-time control, 14ns propagation delays, and high-current 2A source with 4A sink drive capability. The 0.4Ω impedance for the lower gate driver holds the gate of power MOSFET below its threshold. This feature ensures no shoot-through current at high dV/dt phase node transitions. Charged by an internal diode, the bootstrap capacitor allows the use of N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration.