Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

TPS28226DR

Name: Texas Instruments TPS28226DR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS28226DR
Price: 5.16 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

595-TPS28226DR

Nr prod.:

TPS28226DR

Produc.:

Texas Instruments

Opis:

Gate Drivers Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver A 595 A 595-TPS28226D

Karta charakterystyki:

TPS28226DR Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Texas Instruments TPS28226DR

Na stanie magazynowym: 2 336

Stany magazynowe:: 2 336 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 6 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	5,16 zł	5,16 zł
	4,21 zł	42,10 zł
	3,81 zł	95,25 zł
	3,41 zł	341,00 zł
	3,20 zł	800,00 zł
	3,08 zł	1 540,00 zł
	2,97 zł	2 970,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	2,74 zł	6 850,00 zł
	2,71 zł	20 325,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:

TPS28226D

Opakowanie:

Tube

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

5,98 zł

Min.:

Podobny produkt

Produc.:

Texas Instruments

Nr prod.:

TPS28226D

Opis:

Gate Drivers Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver

Cykl życia:

Wycofane z eksploatacji: Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Texas Instruments
Kategoria produktów:	Sterowniki bramki
RoHS:
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Rodzaj:	Half-Bridge
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOIC-8
Liczba sterowników:	2 Driver
Liczba wyjść:	2 Output
Prąd wyjścia:	4 A
Napięcie zasilania – min.:	6.8 V
Napięcie zasilania – max.:	8 V
Czas narastania:	10 ns
Czas zanikania:	5 ns
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 125 C
Seria:	TPS28226
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Texas Instruments
Funkcje:	Synchronous Rectification
Maksymalny czas opóźnienia wyłączenia:	14 ns
Pd – strata mocy:	1.25 W
Rodzaj produktu:	Gate Drivers
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	PMIC - Power Management ICs
Technologia:	Si
Jednostka masy:	72,600 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TPS28226 8-Pin Sink Synchronous MOSFET Drivers

Texas Instruments TPS28226 8-Pin High-Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Drivers is optimized for a variety of high-current one and multi-phase DC-to-DC converters. The Texas Instruments TPS28226 MOSFET Drivers have a small-size and low EMI emissions, providing a high-efficiency solution. Efficiency is achieved by up to 8.8V gate drive voltage, 14ns adaptive dead-time control, 14ns propagation delays, and high-current 2A source with 4A sink drive capability. The 0.4Ω impedance for the lower gate driver holds the gate of power MOSFET below its threshold. This feature ensures no shoot-through current at high dV/dt phase node transitions. Charged by an internal diode, the bootstrap capacitor allows the use of N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration.