Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

TPS1101DR

Name: Texas Instruments TPS1101DR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS1101DR
Price: 4.86 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

595-TPS1101DR

Nr prod.:

TPS1101DR

Produc.:

Texas Instruments

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 6 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 2500 Wielokrotności: 2500

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	4,86 zł	12 150,00 zł

Produc. Nr części:

Opakowanie:

Tube

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

14,92 zł

Min.:

Produc.:

Texas Instruments

Nr prod.:

TPS1101D

Opis:

MOSFETs Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1101DR

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Texas Instruments
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOIC-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	15 V
Id – Ciągły prąd drenu:	2.3 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	90 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 15 V, 2 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.5 V
Qg – ładunek bramki:	11.25 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	791 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Marka:	Texas Instruments
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	TW
Czas zanikania:	5.5 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	4.3 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	5.5 ns
Seria:	TPS1101
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	19 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	6.5 ns
Jednostka masy:	74 mg