LMG3526R030RQST

Texas Instruments
595-LMG3526R030RQST
LMG3526R030RQST

Produc.:

Opis:
Gate Drivers 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 46

Stany magazynowe:
46
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
250
Oczekiwane: 27.02.2026
Średni czas produkcji:
12
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
117,18 zł 117,18 zł
107,11 zł 1 071,10 zł
102,34 zł 2 558,50 zł
91,55 zł 9 155,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)
86,09 zł 21 522,50 zł
84,62 zł 42 310,00 zł
1 000 Oferta
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
SMD/SMT
2.8 ns
22 ns
- 40 C
+ 125 C
LMG3526R030
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Rds On – rezystancja dren–źródło: 35 mOhms
Wielkość opakowania producenta: 250
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: GaN
Nazwa handlowa: GaN
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG3526R030 GaN FET with Integrated Driver

Texas Instruments LMG3526R030 GaN FET with Integrated Driver comes with protections and targets switch-mode power converters and enables designers to achieve new power density and efficiency levels. The LMG3526R030 integrates a silicon driver that enables switching speeds up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA than discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to control EMI and optimize switching performance actively.