LMG3522R030RQST

595-LMG3522R030RQST
LMG3522R030RQST

Produc.:

Opis:
Gate Drivers 650-V 30-m? GaN FET with integrated driver, protection and temperature reporting 52-VQFN -40 to 150

Cykl życia:
Ograniczona dostępność:
Ten numer części nie jest obecnie dostępny w Mouser. Produkt może być w ograniczonej dystrybucji lub na specjalne zamówienie w fabryce.
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 4

Stany magazynowe:
4 Wysylamy natychmiast
Ilości większe niż 4 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
107,35 zł 107,35 zł
89,54 zł 895,40 zł
88,91 zł 8 891,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)
88,87 zł 22 217,50 zł
88,03 zł 44 015,00 zł
1 000 Oferta
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
Driver ICs - Various
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-52
1 Driver
1 Output
7.5 V
18 V
Non-Inverting
4.3 ns
22 ns
- 40 C
+ 125 C
LMG3522R030
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: PH
Funkcje: Robust Protection
Maksymalny czas opóźnienia wyłączenia: 69 ns
Maksymalny czas opóźnienia włączenia: 54 ns
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Prąd roboczy zasilania: 15.5 mA
Napięcie wyjścia: 5 V
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Rds On – rezystancja dren–źródło: 26 mOhms
Zakończenie pracy: Shutdown
Wielkość opakowania producenta: 250
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: Si
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FETs

Texas Instruments LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FETs include an integrated driver and protection for switch-mode power converters. The LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 integrates a silicon driver that allows switching speeds up to 150V/ns. The device implements TI’s integrated precision gate bias, resulting in higher switching SOA than discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, supplies clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. An adjustable gate drive strength permits control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to control EMI and optimize switching performance actively.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.