LMG3411R050RWHT

Texas Instruments
595-LMG3411R050RWHT
LMG3411R050RWHT

Produc.:

Opis:
Gate Drivers 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 37

Stany magazynowe:
37 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
115,15 zł 115,15 zł
93,14 zł 931,40 zł
87,63 zł 2 190,75 zł
81,61 zł 8 161,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)
73,57 zł 18 392,50 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
REACH - SVHC:
MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-32
1 Driver
1 Output
12 A
9.5 V
18 V
Non-Inverting
2.9 ns
26 ns
- 40 C
+ 125 C
LMG3411R050
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: PH
Maksymalny czas opóźnienia wyłączenia: 8.9 ns
Maksymalny czas opóźnienia włączenia: 5.2 ns
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Prąd roboczy zasilania: 23 mA
Napięcie wyjścia: 5 V
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Rds On – rezystancja dren–źródło: 57 mOhms
Wielkość opakowania producenta: 250
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: GaN
Nazwa handlowa: GaN
Jednostka masy: 188,300 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

LMG341xR050 GaN Power Stage

Texas Instruments LMG341xR050 GaN Power Stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new power density levels and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem pole PFC.