LMG3410R150RWHT

Texas Instruments
595-LMG3410R150RWHT
LMG3410R150RWHT

Produc.:

Opis:
Gate Drivers 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 110

Stany magazynowe:
110 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 110 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
45,32 zł 45,32 zł
35,60 zł 356,00 zł
33,15 zł 828,75 zł
30,79 zł 3 079,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)
29,20 zł 7 300,00 zł
28,08 zł 14 040,00 zł
27,61 zł 27 610,00 zł
2 500 Oferta
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
33,84 zł
Min.:
1

Podobny produkt

Texas Instruments LMG3410R150RWHR
Texas Instruments
Gate Drivers 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHT

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
REACH - SVHC:
MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-32
1 Driver
1 Output
12 A
9.5 V
18 V
Non-Inverting
2.9 ns
26 ns
- 40 C
+ 125 C
LMG3410R150
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: PH
Zestaw projektowy: LMG3410EVM-031
Funkcje: Integrated Gate Driver, Robust Protection
Rodzaj logiki: CMOS
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Prąd roboczy zasilania: 9 mA
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Rds On – rezystancja dren–źródło: 150 mOhms
Zakończenie pracy: Shutdown
Wielkość opakowania producenta: 250
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: GaN
Nazwa handlowa: GaN
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

Tranzystor FET GaN LMG341xR150

Texas Instruments LMG341xR150 GaN FET ze zintegrowanym sterownikiem i zabezpieczeniem pozwala projektantom osiągnąć nowy poziom gęstości mocy i wydajności w systemach energoelektroniki. LMG341xR150 GaN FET charakteryzuje się bardzo niską pojemnością wejściową i wyjściową, zerowym odzyskiem sygnału zwrotnego, aby zmniejszyć straty przełączania nawet o 80%, oraz niskim poziomem dzwonienia węzła przełącznika w celu zmniejszenia zakłóceń elektromagnetycznych. Cechy te pozwalają tworzyć gęste i wydajne topologie, na przykład układy typu totem pole PFC.