INA848IDR

Texas Instruments
595-INA848IDR
INA848IDR

Produc.:

Opis:
Instrumentation Amplifiers Ultra-low-noise hig h-bandwidth instrume A 595-INA848ID

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 2500   Wielokrotności: 2500
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
38,18 zł 95 450,00 zł
5 000 Oferta

Podobny produkt

Texas Instruments INA848ID
Texas Instruments
Instrumentation Amplifiers Ultra-low-noise hig h-bandwidth instrume A 595-INA848IDR

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Wzmacniacze pomiarowe
RoHS:  
INA848
1 Channel
45 V/us
150 dB
25 nA
10 uV
36 V
8 V
- 40 C
+ 125 C
SMD/SMT
SOIC-8
Reel
Marka: Texas Instruments
Błąd skalowania wzmocnienia: 0.05 %
Wzmocnienie V/V: 2000 V/V
Ios – wejściowy prąd niezrównoważenia: 2 nA
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Produkt: Instrumentation Amplifiers
Rodzaj produktu: Instrumentation Amplifiers
PSRR – współczynnik tłumienia wpływu zasilania: 150 dB
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: Amplifier ICs
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

INA848 Fixed-Gain Instrumentation Amplifier

Texas Instruments INA848 Fixed-Gain Instrumentation Amplifier is optimized for high-precision measurements, such as very small, fast, differential input signals. TI's super-beta topology provides a very low input bias current and current noise. The well-matched transistors help achieve a very low offset and offset drift. Matching of the internal resistors yields a high common-mode rejection ratio of 132dB across the full input-voltage range and a very low gain drift error of 5ppm/C (max).