DRV8300DPWR

Texas Instruments
595-DRV8300DPWR
DRV8300DPWR

Produc.:

Opis:
Gate Drivers 100-V max simple 3-p hase gate driver wi

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 8 715

Stany magazynowe:
8 715 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
6 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
4,03 zł 4,03 zł
2,92 zł 29,20 zł
2,63 zł 65,75 zł
2,32 zł 232,00 zł
2,18 zł 545,00 zł
2,01 zł 1 005,00 zł
1,82 zł 1 820,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
1,74 zł 5 220,00 zł
1,47 zł 8 820,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
TSSOP-20
3 Driver
6 Output
750 mA
5 V
20 V
Non-Inverting
24 ns
12 ns
- 40 C
+ 125 C
DRV8300
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Zestaw projektowy: DRV8300DIPW-EVM
Rodzaj logiki: CMOS
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Czas propagacji – max.: 180 ns
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: Si
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

DRV8300/DRV8300-Q1 3-Phase Gate Drivers

Texas Instruments DRV8300/DRV8300-Q1 3-Phase Gate Drivers provide three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300D/DRV8300D-Q1 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. The DRV8300N generates the correct gate drive voltages using an external bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Texas Instruments DRV8300/DRV8300-Q1 gate drive architecture supports peak up to 750mA source and 1.5A sink currents.