CSD95379Q3MT

Texas Instruments
595-CSD95379Q3MT
CSD95379Q3MT

Produc.:

Opis:
Gate Drivers Synchronous Buck Nex FET Power Stage CSD A 595-CSD95379Q3M

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 1 500

Stany magazynowe:
1 500 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
6 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
8,00 zł 8,00 zł
5,98 zł 59,80 zł
5,46 zł 136,50 zł
4,90 zł 490,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)
4,21 zł 1 052,50 zł
3,99 zł 1 995,00 zł
3,92 zł 3 920,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
6,88 zł
Min.:
1

Podobny produkt

Texas Instruments CSD95379Q3M
Texas Instruments
Gate Drivers Sync Buck NexFET Pow er State A 595-CSD9 A 595-CSD95379Q3MT

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
REACH - SVHC:
Driver ICs - Various
SMD/SMT
VSON-10
1 Driver
1 Output
20 A
4.5 V
5.5 V
- 40 C
+ 125 C
CSD95379Q3M
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: PH
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Prąd roboczy zasilania: 5.5 mA
Pd – strata mocy: 6 W
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Wielkość opakowania producenta: 250
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: Si
Nazwa handlowa: NexFET
Jednostka masy: 34,400 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET Power Stage ICs

Texas Instruments NexFET Power Stage ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the device. This feature delivers higher efficiency in a typical high-current POL design. With ultra-low Qg and Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitors' devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a reduction in size by up to 1/2 for the output filter (caps and inductor). These devices come with a unique ground pad leadframe and pinout, simplifying the customer's layout and improving operating and thermal performance. The Texas Instruments NexFET Power Stage ICs are offered in smaller packages versus typical discrete solutions, which saves board space.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.