CSD87502Q2

Texas Instruments
595-CSD87502Q2
CSD87502Q2

Produc.:

Opis:
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2T

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 2 106

Stany magazynowe:
2 106
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
9 000
Oczekiwane: 20.02.2026
Średni czas produkcji:
12
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
1,85 zł 1,85 zł
1,16 zł 11,60 zł
0,933 zł 93,30 zł
0,89 zł 445,00 zł
0,839 zł 839,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
0,774 zł 2 322,00 zł
0,757 zł 4 542,00 zł
0,735 zł 6 615,00 zł
0,731 zł 17 544,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
3,88 zł
Min.:
1

Podobny produkt

Texas Instruments CSD87502Q2T
Texas Instruments
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WSON-FET-6
N-Channel
2 Channel
30 V
5 A
35 mOhms
- 20 V, 20 V
1.6 V
2.2 nC
- 55 C
+ 150 C
2.3 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Konfiguracja: Dual
Czas zanikania: 3 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 75 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 11 ns
Seria: CSD87502Q2
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 12 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 3 ns
Jednostka masy: 9,700 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.