CSD86350Q5D

Texas Instruments
595-CSD86350Q5D
CSD86350Q5D

Produc.:

Opis:
MOSFETs Synch Buck NexFET Pw r Block MOSFET

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 7 323

Stany magazynowe:
7 323 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
14,66 zł 14,66 zł
9,59 zł 95,90 zł
7,35 zł 735,00 zł
6,24 zł 3 120,00 zł
5,76 zł 5 760,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
5,12 zł 12 800,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
17,59 zł
Min.:
1

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SON-8
N-Channel
2 Channel
25 V
40 A
5 mOhms, 1.1 mOhms
- 8 V, 8 V
900 mV
10.7 nC, 25 nC
- 55 C
+ 150 C
13 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Konfiguracja: Dual
Zestaw projektowy: CSD86350Q5DEVM-604, TPS53219EVM-690
Czas zanikania: 2.3 ns, 21 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 103 S, 132 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 21 ns, 23 ns
Seria: CSD86350Q5D
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 9 ns, 24 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 8 ns, 9 ns
Jednostka masy: 170 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFETPower MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.