CSD25501F3T

Texas Instruments
595-CSD25501F3T
CSD25501F3T

Produc.:

Opis:
MOSFETs #NAME?

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 170

Stany magazynowe:
170
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
750
Oczekiwane: 02.04.2026
Średni czas produkcji:
6
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
5,16 zł 5,16 zł
2,40 zł 24,00 zł
1,78 zł 178,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)
1,78 zł 445,00 zł
1,41 zł 705,00 zł
1,31 zł 1 310,00 zł
1,25 zł 3 125,00 zł
1,23 zł 6 150,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
1,41 zł
Min.:
1

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
20 V
3.6 A
260 mOhms
- 20 V, 20 V
1.05 V
1.02 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 945 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 3.4 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 428 ns
Seria: CSD25501F3
Wielkość opakowania producenta: 250
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 1154 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 474 ns
Jednostka masy: 0,300 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET

Texas Instruments CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on the duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode of the Texas Instruments CSD25501F3 increases as VGS is increased above –6V.