CSD23382F4

Texas Instruments
595-CSD23382F4
CSD23382F4

Produc.:

Opis:
MOSFETs P-Channel MOSFET A 5 95-CSD23382F4T A 59 A 595-CSD23382F4T

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 16 719

Stany magazynowe:
16 719 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
1,55 zł 1,55 zł
0,949 zł 9,49 zł
0,605 zł 60,50 zł
0,454 zł 227,00 zł
0,399 zł 399,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
0,336 zł 1 008,00 zł
0,302 zł 1 812,00 zł
0,256 zł 2 304,00 zł
0,252 zł 6 048,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
5,17 zł
Min.:
1

Podobny produkt

Texas Instruments CSD23382F4T
Texas Instruments
MOSFETs P-Ch NexFET Power MO SFET A 595-CSD23382 A 595-CSD23382F4

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
12 V
3.5 A
76 mOhms
- 8 V, 8 V
500 mV
1.04 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: PH
Kraj wytworzenia: CN
Kraj pochodzenia: PH
Zestaw projektowy: CSD1FPCHEVM-890
Czas zanikania: 41 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 3.4 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 25 ns
Seria: CSD23382F4
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 66 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 28 ns
Jednostka masy: 0,400 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.